推薦系列
中低壓Trench MOS
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
紫光的中低壓功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管運(yùn)用先進(jìn)的Trench制程技術(shù)，具有較強(qiáng)的雪崩能力。
系統(tǒng)概述
推挽電路采用兩個(gè)參數(shù)相同的功率MOS,以推推挽方式存在電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形，電路工作時(shí)，對(duì)稱的功率mos每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高，推挽電路既可以向負(fù)載灌電流，也可從負(fù)載抽取電流，應(yīng)用于低電壓大電流的場(chǎng)合
系統(tǒng)原理圖
產(chǎn)品列表
| 電壓等級(jí) | 產(chǎn)品型號(hào) |
|---|---|
| 68V | TTP135N68A |
| TTP115N68A | |
| TTP95N68A | |
| 80V | TTB108N08A |
| TTP118N08A | |
| TTD88N08A | |
| TTA145N08A | |
| TTP115N08AA |
推薦系列
600V帶FRD的Multi-EPI SJ MOS
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
帶FRD的Mutli EPI-SJ MOS可用于諧振全橋電路應(yīng)用，具有高速快恢復(fù)二極管（FRD），短的反向恢復(fù)時(shí)間（Trr），適用于當(dāng)再生電流流經(jīng)主體二極管時(shí)會(huì)導(dǎo)致恢復(fù)損耗的應(yīng)用，更強(qiáng)的雪崩能力。
系統(tǒng)概述
逆變電路工作原理開(kāi)關(guān)T1、T4閉合，T2、T3斷開(kāi): 開(kāi)關(guān)T1、T4斷開(kāi)，T2、T3閉合當(dāng)以頻率fS交替切換開(kāi)關(guān)T1、T4和 T2 、T3 時(shí) ， 則 在 負(fù)載電 阻 R上 獲 得交變電壓波形(正負(fù)交替的方波)，其周期 Ts=1/fS，這樣，就將直流電壓變成了交流電壓
系統(tǒng)原理圖
產(chǎn)品列表
| 產(chǎn)品系列 | 產(chǎn)品型號(hào) |
|---|---|
| Multi-EPI SJ | TPB60R090MFD |
| TPR60R120MFD | |
| TPA60R170MFD | |
| TPA60R260MFD | |
| TPA60R360MFD | |
| TPA60R600MFD |